High-NA EUV Moves From Experiment to Manufacturing

📋总体概括

在SPIE光掩模与极紫外光刻会议上，Intel代工与ASML联合宣布，高数值孔径（High-NA）EUV光刻已跨过关键分界线：不再只是研发阶段的实验工具，而是正式进入生产制造的技术。这一节点意味着英特尔在高NA EUV的产业化进度上领先于台积电和三星，为其14A及更先进节点争取到量产经验的先发优势，也验证了ASML新一代EXE光刻机的产线可用性。