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三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产
📋总体概括
IT之家 9 月 8 日消息,ASML 今日在 SPIE 前夕宣布了与三大先进制程企业的合作, 各方将共同推动 High NA EUV 光刻图案化系统从传统 6 英寸掩膜 / 光罩过渡至 12 英寸掩膜 ,以提升机台生产效率、降低制造成本,化解当前方案存在的“半场”拼接问题。 而在合作新闻稿中,三星电子确认计划在 2028 年将 High NA EUV 技术用于先进 DRAM 内存的大规模生产,台
⚡关键信息
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