三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产

📋总体概括

ASML在SPIE大会前宣布与三星、台积电等合作，推动High NA EUV光刻系统从6英寸掩膜过渡到12英寸掩膜，以提升产能、降低成本并解决「半场」拼接问题。时间表随之明确：三星计划2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，台积电则从2031年起导入先进逻辑制程量产。各方还计划2031年前建成12英寸掩膜试点线，为2033年High NA EUV先进制程投产做准备。这标志着High NA EUV从设备验证走向量产路线图落定，先进存储与逻辑制程竞争进入新阶段。