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Intel、ASML宣布量产100万片High NA EUV晶圆：还要破除最大死穴
📋总体概括
Intel与ASML联合宣布High NA EUV光刻已量产100万片晶圆，主要来自Intel的18A工艺，比原定在14A导入提前约2年。ASML全球总产量为135万片，其余约35万片来自台积电、三星、SK海力士的测试与小规模生产。目前全球4家客户投入10台High NA EUV光刻机，另有3台在装机中。双方还宣布合作开发6x12英寸大尺寸High NA EUV光罩，计划2031年试产、2033年量产，以破解视场减半导致芯片面积缩至429mm2、无法承载高性能AI芯片的核心瓶颈。
⚡关键信息
- ▸Intel与ASML宣布High NA EUV量产100万片晶圆，主要来自Intel 18A工艺，比原定14A节点提前约2年
- ▸ASML全球High NA EUV晶圆总产量135万片，其余约35万片为台积电、三星、SK海力士测试及小规模生产
- ▸全球4家客户已投入10台High NA EUV光刻机，另有3台正在出货安装
- ▸双方合作开发6x12英寸High NA EUV光罩，2031年试产、2033年量产
- ▸现有High NA EUV视场减半，芯片面积理论上限仅429mm2，而传统EUV可达858mm2，制约AI大芯片制造
🔥犀利点评
100万片的数字听着唬人，本质是Intel拿18A当High NA的试验田，用提前导入换叙事空间——毕竟先进制程竞赛里Intel太需要一张牌。真正的死穴不是产能而是光罩：视场减半把芯片砍到429mm2，直接判了高性能AI芯片的死刑，6x12英寸光罩要拖到2033年量产，远水难解近渴。台积电和三星只小规模试水，态度已经很说明问题。
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