SK海力士公布最新HBM进展 称竞争焦点从内存性能转向封装技术

📋总体概括

SK海力士副总裁Lee Jae-sik在Hot Chips 2026演讲称，HBM竞争焦点正从内存性能转向封装技术。SK海力士采用MR+MUF封装提升HBM性能，并正开发混合键合技术，目标突破16层堆叠、实现20层以上，芯片厚度可增24%，凸点间距缩至18微米以下，散热更佳。