“钼”成300层+NAND必选项 机构：沉积设备迎10亿美元增量市场

<img src="https://image.cls.cn/img/vcg/VCG111343115551_26f45cb08ce14e009eb75828e77dc686_1787541535.jpeg" /><br /><p><strong>《科创板日报》8月24日讯（编辑 宋子乔）</strong> 当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，<strong>NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项</strong>。</p> <p><img alt="image" src="https://image.cls.cn/images/20260824/IfF299DiPu_680x371.png" /></p> <p>SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。<strong>其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%</strong>。</p> <p>更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。</p> <p><img alt="image" src="https://image.cls.cn/images/20260824/RvPl9Rk0Mj_591x572.png" /></p> <p>该机构称，<strong>每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年</strong>。</p> <p>受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。</p> <h1>钨转钼重构NAND工艺流程 机构看好设备及零部件厂商</h1> <p>钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。</p> <p>300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。</p> <p>375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF₆残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。</p> <p>中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，<strong>继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立</strong>。</p> <p>然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。</p> <p>基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。</p> <p>爱建证券表示，<strong>钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导</strong>，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——</p> <blockquote> <p>沉积：成熟的WF₆钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；</p> </blockquote> <blockquote> <p>输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF₆气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；</p> </blockquote> <blockquote> <p>CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；</p> </blockquote> <blockquote> <p>清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；</p> </blockquote> <blockquote> <p>刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；</p> </blockquote> <blockquote> <p>量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。</p> </blockquote> <p>该机构称，<strong>NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。</strong></p>