存储芯片

英特尔CEO警告:内存短缺还会加剧 电力和冷却技术为核心瓶颈

驱动之家·2026/9/16 09:09:00🔗 原文

📋总体概括

英特尔CEO陈立武警告内存短缺将进一步加剧:内存价格已上涨5至7倍,HBM需求激增导致三星、SK海力士和美光产能吃紧,产线转向HBM又造成通用内存缺口,中低端手机和PC项目因拿不到内存而延期。他还指出电力供给与冷却技术(液冷、微流体冷却)将成为半导体市场核心瓶颈,建议业界关注系统级架构转型趋势。

⚡关键信息

  • ▸陈立武称内存短缺将恶化,内存价格已上涨5至7倍
  • ▸部分项目因拿不到充足内存而延期,中低端手机和笔记本内存供货困难
  • ▸产线转向HBM生产,通用DRAM出现供应缺口
  • ▸三大内存厂三星、SK海力士、美光产能跟不上HBM需求
  • ▸电力保障与冷却技术(液冷、微流体)成为行业核心难题

🔥犀利点评

陈立武这话一半是提醒,一半是甩锅——内存涨价5到7倍,英特尔CPU出货同样受拖累,但根源在AI大厂把HBM产能吃干抹净,DRAM产线全让位给HBM,普通内存成了牺牲品。真正值得警惕的是他点出的电力和冷却:算力竞赛最终拼的不是芯片,而是能源和散热基建,这才是未来两年最硬的约束。

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