DUV光刻机也能造3nm芯片！中科院GAA晶体管重大突破：绕开EUV光刻机

📋总体概括

中科院公布新型全环绕栅极（GAA）晶体管架构，在DUV光刻机上实现开关比超过50万倍的电气性能，理论上可解锁3nm等效性能。GAA通过栅极四面包裹沟道提升电流控制精度，并通过放宽晶体管间距绕开DUV分辨率限制。但该突破仅解决前道FEOL环节，中道金属互连和后道布线仍是瓶颈，距离实际量产尚有距离。