存储芯片
消息人士:长鑫准备进入NAND闪存市场
📋总体概括
据路透社报道,长鑫存储正筹备进入NAND闪存市场,计划在北京新工厂建立NAND研发生产线,并设立研究院推进NAND开发。公司已与潜在客户接洽,其中一家AI存储初创企业有意采购其NAND芯片用于人工智能系统和超算产品。目前量产时间表及是否走向大规模商业化尚不明确。当前全球NAND市场由三星(二季度份额29.3%)、SK海力士、美光主导,长鑫若入局意味着中国存储厂商从DRAM单一战场向NAND双线扩张。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线,并设立研究院推进NAND开发
- ▸长鑫已与客户讨论NAND计划,一家初创公司拟采购其NAND芯片用于AI系统和超级计算机存储产品
- ▸研发线运营时间和是否转入大规模商业化制造尚不明确
- ▸二季度全球NAND市场三星以29.3%份额居首,SK海力士、美光分列其后
- ▸此前长鑫主营DRAM,此次布局意味着向DRAM与NAND双产品线扩张
🔥犀利点评
长鑫杀入NAND,补的是中国存储的最后一块拼图,但别急着欢呼。NAND的技术门槛和资本消耗比DRAM不遑多让,三星们堆叠层数已经卷到两百层以上,长鑫从研发线起步,落后的不止一代。真正值得玩味的是那家AI初创客户——先有人要货再建产线,供应链逻辑倒是清醒。问题是地缘制裁背景下,3D NAND所需刻蚀设备能否到位,才是这条路的真正窄门。
📰 相关资讯(与本文相关的其他资讯)
本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 华尔街见闻 阅读全文 →