中国长鑫存储达成12nm级DRAM里程碑——全新第五代DRAM技术采用四重图形化技术，将晶圆芯片容量提升50%

📋总体概括

长鑫存储（CXMT）已开始基于第五代DRAM工艺技术量产，首次进入12nm级别节点，并采用四重图形化（quadruple patterning）技术使单片晶圆切割出的芯片容量提升约50%。这标志着中国DRAM厂商在制程上进一步逼近三星、SK海力士等国际巨头的主流水平，也意味着国产存储在先进工艺和产能效率上取得实质性突破，对全球DRAM竞争格局具有象征与实质双重意义。