晶圆级亚5nm沟道单层MoS₂晶体管（CMU、UF、MIT等）

📋总体概括

卡内基梅隆大学联合佛罗里达大学、MIT、德州农工大学等团队发表研究成果，实现晶圆级单层二硫化钼(MoS₂)晶体管，沟道物理长度低于5nm，亚阈值摆幅达88mV/dec，突破了硅材料的物理极限。该工作证明了二维材料晶体管不仅在实验室单器件上可行，还能以晶圆级工艺规模化制备，是后摩尔时代二维半导体走向实用化的关键一步，对延续制程微缩路线具有重要意义。