摩尔定律有救了！泛林SA-CFET架构把CMOS推过1nm：SRAM面积暴缩52.7%

📋总体概括

泛林集团于9月29日提出自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，将NMOS与PMOS垂直堆叠，目标把CMOS晶体管推进至1nm及以下节点。imec在2026年7月路线图中预测2038年可达0.3nm等级工艺，并把CFET列为延续摩尔定律的核心方案。该架构可在相同平面面积内提升器件密度、增加有效沟道宽度并改善静电控制，SRAM单元面积可缩减52.7%。