降低接触电阻推动二维晶体管迈向先进CMOS（华中科技大学、香港理工、UCSB、新加坡国立大学）

📋总体概括

华中科技大学联合香港理工大学、加州大学圣塔芭芭拉分校和新加坡国立大学发表研究论文，通过氧掺杂WSe2单层材料实现低接触电阻和高电流密度的弹道输运p型晶体管。该成果瞄准高性能p型单层晶体管这一2D半导体融入先进CMOS工艺的关键瓶颈，若接触电阻问题得以突破，二维晶体管距离替代硅基器件的路线图将更进一步。