芯片设计🔥9.0
降低接触电阻推动二维晶体管迈向先进CMOS（华中科大、香港理工、UCSB、新加坡国立大学）
原标题: 降低接触电阻推动二维晶体管迈向先进CMOS（华中科大、香港理工、UCSB、新加坡国立大学）
📋总体概括
华中科技大学联合香港理工大学、加州大学圣塔芭芭拉分校与新加坡国立大学在学术期刊发表论文，通过氧掺杂WSe2单层材料将弹道输运p型晶体管的接触电阻降低至极低水平，同时实现高电流密度。该成果直击二维材料晶体管走向先进CMOS节点的最大瓶颈——金属与二维半导体接触界面电阻问题，为硅基器件逼近物理极限后的后摩尔路线提供了关键实验支撑。
⚡关键信息
- ▸华中科大联合香港理工、UCSB、新加坡国立大学四校合作完成该研究
- ▸成果核心是氧掺杂WSe2单层材料，用于p型弹道输运晶体管
- ▸论文标题为Low contact resistance and high current density in ballistic p-type transistors based on oxygen-doped WSe2 monolayers
- ▸研究瞄准二维晶体管进入先进CMOS的关键障碍：p型器件的接触电阻问题
🔥犀利点评
二维晶体管喊了十年『取代硅』，卡脖子的一直是接触电阻而不是沟道本身。p型WSe2器件的欧姆接触迟迟做不好，导致驱动电流远不及硅基CMOS。这次用氧掺杂单层材料把弹道区p型器件的接触电阻压下去，是难得的实锤进展。但劝一句：实验室单管性能与量产晶圆级集成之间隔着材料均匀性、转移工艺、良率三座大山，别急着宣告2D时代到来，先看能不能做出几百个管子性能一致的原型阵列。
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