功率模拟🔥8.0

瑞萨将GaN推进至100V功率应用,瞄准AI数据中心与机器人

原标题: 瑞萨将GaN推进至100V功率应用,瞄准AI数据中心与机器人

Semiconductor Digest·2026/10/6 18:15:57🔗 原文

📋总体概括

瑞萨电子宣布扩展其GaN(氮化镓)产品线,推出首款面向低压应用的100V增强型(E-mode)GaN分立功率晶体管家族,瞄准AI数据中心与机器人等新兴场景的电源需求。此前GaN多集中于高压快充等领域,此次下探至100V中低压区间,标志着GaN技术正从消费类充电器向服务器电源、机器人驱动等工业与AI算力基础设施渗透,功率半导体市场格局或迎新变量。

⚡关键信息

  • ▸瑞萨推出首款100V增强型GaN分立功率晶体管家族,扩展GaN产品组合
  • ▸产品面向低压应用,覆盖AI数据中心与机器人两大目标场景
  • ▸E-mode(增强型)结构通常无需负压关断,有助于简化驱动设计
  • ▸此举显示GaN正从高压快充向中低压工业与算力电源市场渗透

🔥犀利点评

瑞萨的GaN故事讲了几年,这次终于从60页PPT落地到100V实际产品。选100V这个电压档位很聪明:AI服务器机架功率密度暴涨,48V母线架构正好需要这个区间的器件,GaN比硅MOSFET的开关优势在这里最有性价比。但别高兴太早,EPC、英飞凌、TI在这个区间早已卡位,瑞萨作为后来者,能否靠IDM垂直整合和电源方案打包卖出差异化,才是真正的考验。

本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 Semiconductor Digest 阅读全文 →