存储芯片🔥9.0
国产DRAM重大突破!长鑫4F架构产品年底亮相:剑指服务器内存
📋总体概括
长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布,年底将推出融合4F²架构、混合键合及自研VSG垂直晶体管的新一代DDR5 RDIMM产品,瞄准服务器内存市场。4F²是DRAM下一代公认方向,相比主流6F²架构存储密度可提升30%至50%,但需晶体管从水平转向垂直布局、重建工艺体系。长鑫自成立以来布局4F²,公开专利族超300件、数量领先海内外,2021年发布中国大陆首篇相关论文,具备与国际巨头同台竞技的技术积累。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储宣布年底推出采用4F²架构与混合键合技术的DDR5 RDIMM产品,目标服务器内存市场
- ▸4F²架构相比行业主流6F²可将同面积存储密度提升30%至50%
- ▸长鑫自研VSG垂直晶体管是此次突破核心,晶体管沟道从水平转向垂直布局需重建工艺体系
- ▸长鑫4F²公开专利族超300件,数量领先海内外厂商,2021年发布中国大陆首篇相关论文
- ▸消息于10月9日至10日第四届集成芯片和芯粒大会上由总裁曹堪宇正式宣布
🔥犀利点评
密度提升30%-50%听着吓人,但DRAM的护城河从来不是论文和专利数量,而是良率、成本和大规模量产的稳定性。三星、SK海力士也在押注类似方向,长鑫这次是把宣发节奏踩在了产品落地前夜——年底见真章:若真能出货DDR5 RDIMM打入服务器供应链,才是国产DRAM从跟随到并跑的分水岭;否则又是一次发布会叙事。专利300件领先只是入场券,不是奖杯。
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