存储芯片🔥9.0

国产DRAM重大突破!长鑫4F架构产品年底亮相:剑指服务器内存

驱动之家·2026/10/10 10:45:00🔗 原文

📋总体概括

在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上,长鑫存储总裁曹堪宇宣布,预计年底推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品,瞄准服务器内存市场。4F²架构是DRAM公认的下一代技术方向,相较当前主流6F²架构,同面积存储密度可提升30%至50%,其核心是从水平晶体管沟道向垂直布局的根本变革。长鑫自成立以来布局4F²,公开专利族超300件,数量领先海内外厂商,自研VSG垂直环绕晶体管是技术突破关键。

⚡关键信息

  • ▸长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布,年底将推出4F²架构新一代DDR5 RDIMM产品
  • ▸4F²架构相较主流6F²架构,同面积存储密度可提升30%至50%,是DRAM公认的下一代技术方向
  • ▸从6F²到4F²本质是晶体管沟道从水平向垂直布局的根本变革,需整合全新工艺体系,无法完全复用旧流程
  • ▸长鑫自成立以来布局4F²,公开专利族超过300件,数量领先海内外厂商
  • ▸新技术融合混合键合等先进工艺,产品剑指服务器内存市场

🔥犀利点评

从6F²跳到4F²不是常规迭代,而是 Vertical 沟道的工艺革命,三星、SK海力士也在抢这条赛道,长鑫敢把量产节点定在年底,说明VSG和混合键合的良率已过了心里那道坎。300件专利族是护城河,但专利领先不等于量产领先——服务器内存认证周期长、可靠性门槛高,DDR5 RDIMM能不能真正打进大客户供应链,2026年见真章。

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