国产下一代内存G6预测：继续打磨DUV、最快28年问世

📋总体概括

长鑫科技已成长为全球第四大DRAM厂商，G5代内存平台追平三星、SK海力士、美光当前量产水平，且全程不依赖EUV光刻机，实现约一年一代的迭代节奏。技术博主Frederick Chen预测下一代G6平台仍将基于DUV多重曝光打磨工艺，最快2028年问世。这显示长鑫在EUV禁运约束下靠工艺优化走出了一条可持续的追赶路线。