DUV光刻机榨到极限！长鑫G6内存面积再缩30%：键合工艺首次登场

📋总体概括

国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存平台G6的技术指标预测流出：最快2028年推出，继续不用EUV，靠193nm DUV浸没式光刻结合SAQP/SADP多重图案化技术，把DRAM单元面积从G5代的0.00128205平方微米缩至0.000896平方微米，缩减30%。WL间距从33.3nm收紧至28nm，BL从38.5nm降至32nm，AA从23.9nm降至20nm，并首次引入键合工艺，被视为最关键的技术变量。这显示长鑫在EUV禁运约束下把DUV工艺压榨到物理极限，以追赶三星、SK海力士的先进DRAM节点。