存储芯片🔥9.0
消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
📋总体概括
据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子正在zNAND-O之外开发两款面向AI负载的定制NAND闪存：zNAND-T主打吞吐量，思路类似闪迪与SK海力士的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die为数据中心AI优化读写带宽；zNAND-I主打随机IOPS，面向少量数据频繁读写场景，如KV Cache卸载。三者各专攻一类负载，标志着NAND闪存正从通用型产品走向按应用定制的AI存储时代。
⚡关键信息
- ▸三星在已公布的zNAND-O之外，正开发zNAND-T与zNAND-I两款AI负载专用NAND闪存
- ▸zNAND-T的T代表Throughput，为数据中心AI优化读写带宽，采用TSV堆叠NAND Die
- ▸zNAND-T思路类似闪迪和SK海力士提出的HBF概念，瞄准高带宽存储竞争
- ▸zNAND-I的I代表IOPS，优化少量数据频繁读写，适配KV Cache卸载场景
- ▸三种zNAND针对不同负载各有专长，NAND正从通用型转向定制化
🔥犀利点评
NAND的定制化不是营销话术，而是AI把存储瓶颈打回原形：带宽、容量、随机性能三者不可兼得，只能分兵。三星T/I双线并进，T对标HBF抢CXL之外的高带宽叙事，I则盯住KV Cache这个大模型推理的真痛点——DRAM装不下的KV Cache正是NAND最现实的增量。真正的问题是定制NAND的成本与主控生态何时成熟，否则又是一场PPT先行。
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