消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

📋总体概括

据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子正开发针对AI负载优化的NAND闪存产品线，在已公布的zNAND-O之外新增zNAND-T与zNAND-I两款。zNAND-T主打吞吐量，类似闪迪与SK海力士的HBF概念，采用TSV堆叠NAND Die优化数据中心AI读写带宽；zNAND-I主打IOPS随机性能，适合KV Cache卸载等少量数据频繁读写场景。三种zNAND各司其职，标志着NAND闪存从通用型转向按负载定制化的新阶段。