1个原子厚的二维半导体！生长400次只失败3次

📋总体概括

韩国科学技术院（KAIST）与初创公司TDS Innovation在《自然》发表论文，提出名为「刻蚀通量介导的单一中心成核」（EF-SCN）的工艺，解决二维半导体生长中晶体随机成核、形成晶界导致性能参差的难题。方法是在生长区四周做氧化物阻挡层，利用分解释放的氧气横向扩散抑制中心以外成核，逼晶体只在正中间生长。该工艺生长400次仅失败3次，做出的二硫化钼场效应晶体管迁移率超过此前选择性生长的已报告水平，为二维半导体接替硅铺路。