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长鑫存储称技术获突破 领先三星与SK海力士
📋总体概括
中国存储晶片制造商长鑫存储称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。图为长鑫存储位于北京的生产设施。（路透社档案照片） 中国存储晶片制造商长鑫存储称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。这一说法尚未获证实，但已引发全球晶片股抛售。 据彭博社报道，长鑫存储总裁曹堪宇上周末在上海举行的一场行业会议上说，公司计划在今年底前推出一款面向数据中心服务器的新型晶片，采用4F²设计，以
⚡关键信息
- ▸中国存储晶片制造商长鑫存储称，已取得三星电子等竞争对手多年来力求实现的技术突破。图为长鑫存储位于北京的生产设施。（路透社
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