存储芯片🔥9.0
长鑫存储称技术获突破 领先三星与SK海力士
📋总体概括
长鑫存储总裁曹堪宇在上海行业会议上宣布，公司已突破4F²存储单元设计，计划年底前推出面向数据中心服务器的新型DRAM，通过「垂直环绕栅极」技术堆叠晶体管、减少漏电。若属实，意味着长鑫在受美国制裁、无法获取阿斯麦最先进设备的情况下，抢在三星电子和SK海力士之前实现这一业界多年未竟的跨越。消息虽未经独立证实，仍引发韩国存储巨头股价单日下跌逾7%，拖累韩国综合股价指数。长鑫今年夏季IPO后一度成为中国市值最高的公司，此次表态凸显其在AI关键存储领域加速追赶的野心。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储总裁曹堪宇宣布突破4F²存储单元设计，计划年底前推出面向数据中心服务器的新型DRAM芯片
- ▸现行业界标准为6F²，4F²可在更小面积容纳相同存储单元，三星与SK海力士多年探索尚未实现量产跨越
- ▸长鑫采用垂直环绕栅极（VSG）技术，通过堆叠改变晶体管布局以减少漏电，直击竞争对手缩尺寸的核心痛点
- ▸消息引发三星电子和SK海力士股价周二单日均下跌逾7%，拖累韩国综合股价指数
- ▸长鑫在美国制裁下无法获取阿斯麦最先进设备，今年IPO后一度成为中国市值最高的公司
🔥犀利点评
一次会议表态就让韩国两大存储巨头市值蒸发7%，这本身就是对全球存储格局焦虑的最佳注脚。但要看清：4F²从宣布到量产再到良率爬坡，隔着鸿沟，长鑫没有披露任何技术细节和验证数据，股价暴跌更多是资本市场对「中国速度+制裁逼出奇招」叙事的恐慌定价。不过别低估长期威胁——DRAM是最依赖规模化投入的赛道，长鑫的垂直环绕栅极路线若走通，三星海力士的护城河将第一次被真正撼动。
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