长鑫存储总裁：公司首款4F² DRAM将是服务器用DDR5 RDIMM，年底前推出

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长鑫存储总裁曹堪宇宣布，公司首款基于4F²结构的DRAM产品将面向服务器市场的DDR5 RDIMM内存模组，预计于2026年底前推出。4F²是下一代DRAM单元结构，相比传统6F²设计可显著缩小单元面积、提升位元密度，是DRAM工艺演进的关键节点。此举表明长鑫在常规制程追赶之外，试图在新兴单元结构上与三星、SK海力士、美光同代起跑，且首发即瞄准附加值更高、国产替代需求强烈的服务器存储市场。