存储芯片🔥9.0
比HBM4快20%！三星SK海力士第七代HBM4E正式亮相：传输速率达16Gbps
📋总体概括
在第28届首尔半导体展SEDEX 2026上，三星与SK海力士双双亮相第七代高带宽内存HBM4E。三星采用1c纳米级DRAM与4纳米基础裸片，单引脚速率14-16Gbps，较HBM4提升超20%，带宽达3.6TB/s，12层48GB版本已于今年5月送样。SK海力士同样实现16Gbps，能效提升逾20%，热阻降低约17%，采用MR-MUF工艺，6月已送样12层48GB版本。三星另展示zHBM垂直堆叠概念，内存密度可达HBM5的10倍以上。
⚡关键信息
- ▸三星HBM4E采用1c DRAM搭配4纳米基础裸片，单引脚速率14-16Gbps，较HBM4提升超20%
- ▸三星HBM4E最高带宽3.6TB/s，12层堆叠容量48GB较上代增超30%，5月已向全球客户送样
- ▸SK海力士HBM4E同样达16Gbps，能效提升逾20%，热阻降低约17%，采用MR-MUF工艺
- ▸SK海力士6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证
- ▸三星展出zHBM概念产品，垂直堆叠使内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍
🔥犀利点评
两大存储巨头在同一展会同台亮出HBM4E，与其说是技术展示，不如说是对英伟达下一代AI加速器订单的公开竞标。速率、能效数字几乎咬死在一起，说明规格已不是护城河，真正的胜负手在于1c DRAM良率、基础裸片代工配合度与量产时点。zHBM这类概念产品更像是提前卡位后HBM时代的叙事武器。
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