存储芯片🔥9.0
存储大战升级！长鑫刚宣布年底推4F2 DDR5 三星后脚确认4F2 DRAM开发完毕
📋总体概括
存储巨头在4F² DRAM架构上正面交锋：三星在首尔SEDEX 2026展会上确认4F² DRAM技术开发完成，量产时点按客户节奏协调，此前2月已在ISSCC展示16Gb原型；而长鑫存储总裁曹堪宇宣布2026年底推出基于自研VSG垂直环绕栅极晶体管的4F² DDR5 RDIMM服务器内存。4F²将单元面积从6F²缩小约30%，密度提升约50%，是下一代DRAM竞争焦点。市场曾解读长鑫领先三星约两年，但Rosenblatt等机构持谨慎态度。
⚡关键信息
- ▸三星在SEDEX 2026确认4F² DRAM技术开发完成，量产时点正与客户战略协调
- ▸三星2月在ISSCC 2026展示16Gb 4F² DRAM原型，采用垂直沟道晶体管与晶圆级混合键合
- ▸长鑫宣布2026年底推出4F²架构DDR5 RDIMM，采用自研VSG垂直环绕栅极晶体管，拥有超300件相关公开专利族
- ▸4F²架构将单元面积从6F²缩小约30%，理论集成密度提升约50%
- ▸三星路线图为10a世代2026年完成开发、2027年质量测试、2028年量产
🔥犀利点评
「领先两年」的说法可以歇了。三星嘴上说开发完成、量产看客户节奏，实际路线图写着2028年量产——但别忘了三星手里的量产经验、HBM协同和客户绑定，这些是长鑫短期补不上的。长鑫敢第一个宣布年底出货4F² RDIMM，靠的是300件专利族和VSG自研路线，象征意义大于份额意义：真正战场是良率和服务器客户认证，别被时间表冲昏头。
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