存储芯片🔥9.0
国产产能翻倍 韩国内存暴利的好日子没几年了：马斯克神补刀
📋总体概括
长鑫科技密集公布技术突破：首发LPDDR6、推出G5代内存平台，并计划年底率先量产三星与SK海力士研发十余年未能落地的4F2架构内存。产能方面，长鑫今年将提升到35万片晶圆/月，接近美光水平，预计两年内从30万片翻倍至50-60万片。叠加G5技术生产效率提升50%带来的成本下降，市场担忧国产产能爆发将使内存从供不应求转向过剩，冲击三星、SK海力士的暴利格局，两家韩企股价已较高峰期腰斩。
⚡关键信息
- ▸长鑫科技首发LPDDR6内存并推出G5代内存平台，宣布年底率先量产4F2架构内存芯片，这是三星、SK海力士研究了十多年未能量产的技术
- ▸长鑫今年产能将提升至35万片晶圆/月，接近美光水平，预计2年内从30万片翻倍到50-60万片
- ▸G5内存技术比G4代生产效率提升50%，同等晶圆多产出50%芯片，即便此前良率仅40-50%也能升至60-70%以上
- ▸长鑫目前全球内存份额约10%，三星、SK海力士、美光三家合计约90%，两年后长鑫份额有望达到20%
- ▸三星、SK海力士股价接连大跌，较高峰期已腰斩，市场担忧产能过剩导致内存利润崩盘
🔥犀利点评
内存是典型的周期游戏，本质就是产能与成本的较量，不是技术玄学。三星海力士囤着4F2不敢量产，长鑫敢抢跑，说明国产已从追赶进入正面博弈阶段。两年后50万片产能加20%份额，足够把现有三巨头的价格体系搅个天翻地覆。韩国股价腰斩是市场提前定价，HBM固然还有护城河，但通用DRAM的暴利时代确实进入倒计时了。
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