晶圆制造🔥9.0
Intel 18A工艺就用了 台积电回应High NA EUV光刻机落后
📋总体概括
ASML的High NA EUV光刻机单台价格从约2亿美元升至约4亿美元,Intel抢先在去年底量产的18A工艺上导入,进度领先其他厂商4-5年;而曾率先量产EUV的台积电则宣布2030年才导入High NA,理由是该技术届时才足够成熟、成本合理,并计划2031年前与ASML确立12英寸光罩标准。台积电否认晚采用会构成劣势,核心顾虑在于设备与工艺成本高昂,且High NA视场缩小导致可生产芯片面积从约800mm²减半至400mm²左右。
⚡关键信息
- ▸High NA EUV单台价格约4亿美元,较Low NA EUV的约2亿美元翻倍
- ▸Intel已在去年底量产的18A工艺上使用High NA EUV,领先其他厂商4-5年以上
- ▸台积电计划2030年才导入High NA EUV,认为届时技术才够成熟
- ▸台积电与ASML合作,计划2031年前确立12英寸光罩标准
- ▸High NA EUV视场受限,可生产芯片面积从约800mm²减半至约400mm²
🔥犀利点评
台积电的「保守」其实是精明的成本账:High NA贵一倍、视场还砍半,大芯片都做不了,先当小白鼠纯属给ASML交学费。Intel抢首发更多是叙事需要——18A生死攸关,豪赌设备换话题度可以理解,但真正的胜负手在良率与成本,不在谁先装机。台积电等技术成熟再收割,才是代工霸主的打法。
📰 相关资讯(与本文相关的其他资讯)
本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 驱动之家 阅读全文 →