长鑫把晶体管“竖起来”：绕开EUV 的追赶路，会撼动存储三巨头吗？

📋总体概括

长鑫科技宣布在DRAM器件、4F²架构和混合键合技术上取得重大突破，消息引发海外存储三巨头股价下跌。4F²是直接提升单位晶圆产出的架构，叠加中国厂商一旦突破壁垒后量产爬坡速度快的特点，市场担忧国内DRAM有效供给增速超出此前预期，动摇三星、SK海力士、美光主导的格局。长鑫的追赶路线以3D化和架构创新绕开EUV依赖，被视为中国存储产业的关键节点。