三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

📋总体概括

据首尔经济日报报道，三星将破例采用竞争对手台积电的3nm工艺，为英伟达生产下一代定制HBM（NVHBM）的基底裸片，打破以往核心裸片与基底裸片全部自产的一站式模式。英伟达已向三星、SK海力士、美光三家供应商统一要求：基底裸片用台积电3nm、核心裸片用1c第六代DRAM工艺，以解决各家方案不一、性能难一致、验证负担重的问题。标准HBM产品三星仍保留全包生产。