存储芯片🔥9.0
英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
📋总体概括
英伟达为下一代AI加速器推动定制HBM方案NVHBM，要求长期竞争对手三星与台积电罕见联手开发3纳米基底芯片，美光、SK海力士也被纳入统一制造流程。核心存储芯片需采用第六代DRAM「1c」工艺。相比标准HBM4E，NVHBM预计带宽提升30%、功耗降低15%，并减少独立验证步骤以加快导入。三星仍保留自家代工备选方案，标准HBM继续自研。
⚡关键信息
- ▸英伟达定制NVHBM促成三星与台积电罕见合作，共同开发3纳米基底芯片
- ▸三星、美光、SK海力士被要求统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心芯片用1c第六代DRAM制程
- ▸NVHBM较标准HBM4E预计带宽高出30%，功耗最多降低15%
- ▸统一制造规范可让英伟达免去对每家供应商的独立质量验证，加快产品导入
- ▸三星未放弃自家代工，正评估产能备选方案，标准HBM仍采用交钥匙模式自研
🔥犀利点评
这本质上是英伟达把甲方权力用到了极致：为了免掉三家HBM供应商的性能参差，直接把基底芯片统一压到台积电3纳米。三星嘴上合作，实际还留了自家代工后手，说明它对把订单拱手让给宿敌台积电并不甘心。定制HBM看似双赢，实则加深了英伟达对台积电产能的依赖，供应链风险反而更集中了。
📰 相关资讯（与本文相关的其他资讯）
本文由本站自动聚合，以下为原始来源：前往 驱动之家 阅读全文 →