存储芯片🔥9.0
三星展示业界首个400层以上V-NAND：高密度堆叠 功耗降低25%
📋总体概括
在GMIF2026峰会上，三星内存中国CTO凯文·尹系统展示了三星内存技术路线：一是业界首个400层以上的V10 BV-NAND，采用存储单元与外围电路分离后垂直键合的先进键合技术，位密度较V9提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%；二是面向端侧AI的新架构zNAND-O，与MPU封装并通过UCIe互联，位密度达DRAM的10倍、读取带宽和能效为NAND的7倍，模拟显示可将Kimi K2-1T推理内存成本降至四分之一，瞄准KV缓存共享与万亿参数端侧模型痛点。
⚡关键信息
- ▸三星V10 BV-NAND为业界首个突破400层的NAND，位密度较V9提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%
- ▸V10核心是先进键合技术：存储单元与外围电路分开制造再垂直贴合实现高密度堆叠
- ▸端侧架构zNAND-O与MPU同封装、经UCIe连接，位密度达DRAM的10倍，读取带宽与能效为NAND闪存的7倍
- ▸用Kimi K2-1T模拟：zNAND-O架构在同等性能下内存成本降至四分之一，可容纳模型规模接近两倍
- ▸三星预判2030年AI参数超1万亿，KV缓存超GPU内存承载后需独立共享存储层级，PM1763 PCIe Gen6 SSD计划2026年Q4出样
🔥犀利点评
400层对三星是里程碑，但对整个行业更像一次 defensive show——面对SK海力士和铠侠在混合键合上的追击，三星急需用数字证明自己仍是NAND技术旗手。真正值得盯的是zNAND-O：把NAND塞进近存层级、用UCIe绑MPU，这是在赌万亿参数模型压垮DRAM成本后的架构拐点。若2030年判断兑现，这是改写存储层级定义的一手；若兑现不了，就是又一个PPT概念。
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