存储芯片🔥9.0

三星首次与台积电合作 为英伟达制造HBM底层逻辑晶片

zaobao-entertainment·2026/10/19 08:55:02🔗 原文

📋总体概括

据韩媒引述业界消息,英伟达要求三星、SK海力士、美光三家HBM供应商统一采用台积电三纳米工艺制造下一代定制HBM的底层逻辑晶片,核心晶片则用第六代DRAM工艺,以统一产品标准、简化验证流程。三星经评估后首次接受与台积电合作代工base die,但标准版HBM及其他客户产品仍保留自家的全包生产策略。三星同时评估用自家代工制程生产base die,以备台积电产能不足。

⚡关键信息

  • ▸英伟达要求三家HBM供应商统一采用台积电三纳米工艺制造HBM底层逻辑晶片(base die)
  • ▸核心晶片统一采用第六代DRAM工艺,目的是确保产品一致性并简化验证程序
  • ▸三星首次与台积电合作,为其制造英伟达定制HBM的底层逻辑晶片
  • ▸三星对标准版HBM及其他客户产品仍保留全包自产策略
  • ▸三星正评估以自家代工制程生产base die,应对台积电产能不足风险

🔥犀利点评

这是HBM权力结构的一次微妙挪移:英伟达用统一base die规格把三大存储厂攥在手里,台积电顺势把手伸进三星最不愿让出的地盘。三星低头合作,实为保住HBM4订单的无奈之举,但保留自产后手也说明它没打算认命。真正的看点是台积电产能——一旦吃紧,三星的自家代工方案就会趁机反扑。

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