存储芯片🔥9.0
英伟达要生产定制化NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势
📋总体概括
消息称英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm工艺生产其定制HBM(NVHBM)的基底裸片,核心裸片则采用第六代DRAM技术,三星据称已接受该技术要求,三星仅回应不对客户事项置评。此举意味着HBM竞争正从堆叠层数转向逻辑基底裸片的定制化,英伟达试图通过控制基底裸片设计进一步主导AI内存性能定义权,三大存储原厂在其面前的议价与话语权差异显现。
⚡关键信息
- ▸英伟达要求三星、SK海力士、美光为其定制HBM「NVHBM」生产基底裸片
- ▸基底裸片指定采用台积电3nm制程,核心裸片采用第六代DRAM技术
- ▸业内人士称定制基底裸片已成HBM行业趋势
- ▸三星电子据称已接受英伟达技术要求,官方仅表示不对客户事项置评
🔥犀利点评
这是英伟达把HBM从「标准件」变成「图纸件」的关键一步:基底裸片改用台积电3nm,等于把逻辑工艺和先进封装的主导权抓回自己手里,存储厂只剩DRAM堆叠这一段。表面上三家都被邀请,实际上份额、规格、节奏全由英伟达定义——SK海力士的技术护城河正在被定制化浪潮稀释,三星抢着点头也就不奇怪了。存储厂沦为代工方的趋势值得警惕。
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