先进封装🔥9.0
三星借助台积电代工NVHBM基底层
原标题: 三星借助台积电代工NVHBM基底层
📋总体概括
据报导,三星正与台积电合作,为NVIDIA新发布的NVHBM内存标准争取base die(基底层)供应。NVHBM将控制器集成进3D HBM堆栈,NVIDIA宣称相较标准HBM4E可带来最多30%更高内存带宽、15%更低HBM功耗,以及处理器上最多25%的更多可用计算die面积。NVHBM基于标准HBM架构叠加基底层定制,但量产前有严苛条件,其中之一是NVHBM的base die必须采用台积电3nm工艺制造。
⚡关键信息
- ▸三星据报与台积电合作,为NVIDIA的NVHBM内存标准争取base die供应
- ▸NVHBM将内存控制器集成到3D HBM堆栈内,实现更高性能与效率
- ▸相比标准HBM4E,NVIDIA宣称带宽提升最高30%、HBM功耗降低15%、可用计算die面积多25%
- ▸NVHBM量产有严格前提,其中包括base die必须在台积电3nm节点生产
- ▸三星虽为HBM大厂,但其3nm产能与良率可能成为与台积电合作的关键原因
🔥犀利点评
这条消息最讽刺的地方在于:三星自己就是存储与代工双料玩家,却要向宿敌台积电借工艺来服务NVIDIA的定制base die需求。本质是3nm代工话语权的彻底倾斜——NVIDIA把门槛直接钉在台积电3nm上,三星HBM做得再好,先进逻辑节点的短板就得低头补课。这也说明AI时代竞争拼的不再是单点产品,而是HBM堆栈+先进节点的整合能力,三星补课是务实,也是无奈。
📰 相关资讯(与本文相关的其他资讯)
本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 TechPowerUp 阅读全文 →