晶圆制造🔥7.0

三星S28的基带芯片要上2纳米!今年这代已通过测试

驱动之家·2026/10/20 09:09:00🔗 原文

📋总体概括

三星电子确定下一代手机通信芯片M2800将采用2纳米工艺制造,计划明年完成开发,用于2028年上市的Galaxy S28系列。此前三星外置基带芯片一直使用4纳米工艺,此次直接跳代升级,速度超过自家处理器节奏。腾出的4纳米产能将转产HBM高带宽内存。当前S26搭载的Shannon 5410在功耗上不敌竞品,明年S27的M2700经电压调整后据称已追平,芯片面积还通过光学收缩缩小约4%,并弃用Shannon品牌统一改为M系列。

⚡关键信息

  • ▸三星M2800基带芯片确定改用2纳米工艺,明年完成开发,用于2028年Galaxy S28系列
  • ▸三星外置通信芯片此前一直用4纳米,此次直接跳到2纳米,比自家处理器升级更快
  • ▸4纳米产线腾出的产能将转做HBM高带宽内存
  • ▸M2700经电压调整等优化,功耗据称追平竞品,芯片面积用光学收缩缩小约4%
  • ▸三星弃用Shannon品牌,统一改为M系列,M2700为改名后首款

🔥犀利点评

基带先上2纳米,三星这步棋耐人寻味——基带芯片面积小、对性能极限要求低于AP,本质是给自家2纳米工艺找一块风险低的试金石,拿通信芯片练手,为处理器和代工背书铺路。待机功耗打不过高通的旧账还没翻篇,跳过1.4纳米直接冲2纳米更像宣传叙事而非技术必然。真正的看点是产能腾挪:基带让出的4纳米产能转做HBM,说明三星眼里AI存储的钱比手机芯片好赚得多。

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