专利超300件！长鑫的十年阳谋：用架构创新绕开封锁

📋总体概括

长鑫存储正以底层架构创新挑战DRAM海外三巨头垄断：放弃逼近物理极限的传统6F²平面架构，改用4F²架构并自研VSG垂直晶体管，将电流通道改为垂直方向以解决短沟道漏电，同面积存储密度提升30%至50%。同时通过12英寸晶圆级混合键合，将外围逻辑电路与存储单元分开制造再三维集成，绕开对顶尖EUV光刻机的依赖。其底气来自提前十年的专利布局，4F²架构公开专利族超300件，混合键合专利数量跻身全球前十，试图从专利费缴纳者转变为规则制定者。