英伟达换思路！下一代Groq AI芯片放弃超大缓存：改用堆叠内存

📋总体概括

以SRAM高速缓存架构闻名的Groq被曝正为下一代AI芯片引入3D堆叠DRAM封装技术，用TSV硅穿孔在内存裸片内打通数千个垂直互连微孔，实现多裸片向上堆叠。此举标志着Groq放弃其标志性的超大SRAM路线，转向提升存储容量以应对超大规模AI模型推理需求。在英伟达实质收购之后，这一架构转向也反映了新东家在内存瓶颈上的技术取舍。