存储芯片🔥9.0

防中国对手崛起!三星、SK海力士紧急升级中国工厂:200层以上NAND量产

驱动之家·2026/10/21 06:31:00🔗 原文

📋总体概括

面对长江存储崛起与AI存储需求,三星电子与SK海力士计划升级中国工厂NAND工艺:三星西安工厂(占其全球NAND产量约40%)推进代号「Monami」计划,转向286层V9 NAND,目标今年12月月产5000片晶圆、2027年12月达4万片;SK海力士大连工厂将从192层升级至240层以上。升级在美国政府监管协商下进行,但美商务部曾表示无意批准此类升级许可,监管成最大变数。

⚡关键信息

  • ▸三星西安工厂占其全球NAND产量约40%,正推进「Monami」计划转向286层V9 NAND
  • ▸Monami计划目标:今年12月月产5000片晶圆,2027年12月提升至4万片
  • ▸SK海力士计划将大连工厂从192层NAND升级至240层以上
  • ▸三星强调升级仅为满足全球客户需求,不扩大产能、不新建工厂
  • ▸美国商务部工业与安全局2025年曾表态无意批准升级技术或扩产许可

🔥犀利点评

在自家后院给对手国家的高端工厂升级工艺,还要看华盛顿脸色——这局面本身就说明存储竞争已白热化。长江存储把技术差距压缩到一 two 代之内,三星、海力士才被迫把200层以上的先进NAND搬进中国,用本土化对冲地缘风险。但美商务部明确说不批,这更像试探性放风而非既成事实。别急着当真,许可拿不到,一切都是PPT。

本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 驱动之家 阅读全文 →