功率模拟
意法半导体在集成高效率功率家族中新增MasterGaN7器件
原标题: 意法半导体在集成高效率功率家族中新增MasterGaN7器件
📋总体概括
意法半导体扩展其MasterGaN集成晶体管/驱动器产品系列,推出新款MasterGaN7器件。新器件集成650V增强型氮化镓晶体管,最大电流额定值达6A。GaN功率器件在快充、适配器与工业电源等高效率场景需求增长,ST通过将GaN晶体管与栅极驱动器单片集成,简化设计、缩小体积并提升效率,巩固其在宽禁带功率半导体市场的布局。
⚡关键信息
- ▸STMicroelectronics推出MasterGaN7器件,扩展MasterGaN集成系列
- ▸新器件内置650V增强型GaN晶体管
- ▸最大电流额定值为6A
- ▸产品延续GaN晶体管与驱动器集成的路线,面向高效率电源应用
🔥犀利点评
650V/6A这个规格明显是瞄准高密度快充和适配器市场,不是冲着工业级大功率去的。ST把GaN管和驱动器集成到一颗封装里,降低的是设计门槛,锁住的是客户粘性——比起单卖裸管,这是更高毛利的打法。在英飞凌、EPC、Power Integrations混战的GaN市场,集成化是ST的差异化筹码,但6A的电流上限也决定了它只能在中小功率段讲故事。
📰 相关资讯(与本文相关的其他资讯)
本文由本站自动聚合,以下为原始来源:前往 Semiconductor Digest 阅读全文 →