存储芯片🔥8.0
SK海力士加速部署iHBM技术，新一代HBM散热能力提升30%
📋总体概括
SK海力士正推动新一代iHBM（集成高带宽存储器）技术走向量产，并已启动量产计划讨论。iHBM的核心创新是在芯片间物理层（D2D PHY）中嵌入集成冷却元件（ICE），可将热阻降低高达30%，显著提升散热能力。随着AI算力需求激增，HBM散热已成为性能提升的关键瓶颈，iHBM被视为突破该瓶颈的重要技术路线，有望巩固SK海力士在高带宽存储器领域的领先地位。
⚡关键信息
- ▸SK海力士正推进iHBM技术迈向量产，并已开始讨论相关量产计划
- ▸iHBM在D2D物理层中放置集成冷却元件ICE，实现散热突破
- ▸iHBM可将热阻降低高达30%，散热能力显著提升
- ▸AI算力需求激增使HBM散热问题成为性能提升的重要瓶颈
- ▸散热瓶颈突破有望直接支撑更高层数、更高带宽的HBM迭代
🔥犀利点评
HBM军备竞赛打到今天，拼层数、拼堆叠的边际收益越来越薄，散热成了卡脖子的硬骨头。SK海力士把冷却元件直接塞进D2D物理层，思路是对的——散热不解决，堆16层、24层都是自燃。30%热阻下降听着不炫，但在HBM这个寸土寸金、每瓦算力定生死的赛道里，可能就是下一代产品定价权的分水岭。量产时点是关键，赶得上HBM4节奏才是真领先。
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