存储芯片🔥7.0
美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
📋总体概括
美光在2026年度技术网络研讨会上展望泛HBM路线图，宣布2028年HBM5面世之际将推出两种3DS堆叠内存：vHBM将DRAM裸片、Base Die与XPU逻辑芯片垂直堆叠，缩短数据通路、提升带宽效率并降低能耗，可与2.5D HBM共存；vEIM结构类似但瞄准端侧AI推理，初代目标2TB/s带宽、能效低于1pJ/bit。这标志着内存与逻辑芯片的3D混合键合集成从概念走向产品化时间表。
⚡关键信息
- ▸美光2026年度技术研讨会上公布泛HBM路线，2028年将随HBM5推出vHBM与vEIM两种3DS堆叠内存
- ▸vHBM垂直堆叠DRAM裸片、Base Die和XPU逻辑主芯片，缩短通信路径、提升带宽效率并降低能耗
- ▸vHBM可与标准2.5D HBM共存，并非完全替代关系
- ▸vEIM面向端侧AI推理场景，初代目标2TB/s带宽、能效低于1pJ/bit
🔥犀利点评
HBM的竞争已经从「堆更多层DRAM」卷到「把逻辑芯片直接摞进内存堆栈」，美光这是把台积电SoIC式的混合键合叙事搬进了内存厂的时间表。vEIM瞄准端侧2TB/s是个聪明的差异化——桌面AI推理的带宽饥渴正在下沉。但2028年才量产，三星、SK海力士和各家逻辑厂不会坐着等，届时混合键合良率与散热才是真门槛。
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