存储芯片🔥8.0
美光扔出王炸！DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产
📋总体概括
美光在2026年OCP峰会上发布下一代存储技术路线图，覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM和G11 NAND四大方向。其中DDR6带宽较DDR5翻倍以上，主攻高可靠性服务器市场；LPDDR6基于1δ（1-Delta）DRAM工艺，能效较LPDDR5提升超35%，兼顾数据中心与移动端；NAND方面推进至400层并实现量产。路线图多项指标翻倍级跃升，意在AI时代存储竞争中压制三星、SK海力士，巩固HBM与DRAM份额。
⚡关键信息
- ▸美光在2026年OCP峰会公布下一代存储路线图，覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大方向
- ▸DDR6带宽较DDR5提升超过两倍，主要面向高可靠性服务器市场
- ▸LPDDR6能效较LPDDR5提升超35%，部分密度配置下提升更大，同时服务数据中心与移动设备
- ▸DDR6与LPDDR6均基于美光即将推出的1δ（1-Delta）DRAM工艺节点，号称全球最先进
- ▸NAND推进至400层并实现量产，多项指标较上代实现翻倍级提升
🔥犀利点评
存储三巨头的路线图竞赛进入白热化，美光这次把牌一次亮完：DDR6带宽翻倍、1δ工艺压轴、400层NAND量产。但发布会数字向来是实验室值，量产品质和良率才是真功夫。在AI内存需求疯涨的当下，美光试图摆脱「老三」标签，正面硬撼SK海力士的HBM霸主地位，这场仗2026年才真正见分晓。
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