美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

📋总体概括

美光在2026年度技术研讨会上预告G11 NAND闪存：堆叠超400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9 NAND的两倍，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗降低25%以上，计划2027年下半年产能爬坡。美光似乎跳过G10世代直接推进，G11之后还将导入高迁移率材料实现超密集单元架构，继续强化节能特性，覆盖DRAM、HBM、NAND与SSD全线技术展望。