设备🔥9.0
全球首台！中微公司高选择性刻蚀设备付运：填补国内3D芯片制造空白
📋总体概括
中微公司宣布其Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机付运国内重要集成电路研发制造客户。该设备面向GAA、3D NAND、3D DRAM等三维器件工艺，实现大于700:1的SiGe/Si选择比，填补国内3D芯片制造关键刻蚀工艺自主化空白。设备采用全对称腔体、集成气柜、双制冷双加热基座等设计保障均匀性与稳定性。中微刻蚀设备已覆盖65纳米至3纳米及更先进节点。
⚡关键信息
- ▸中微公司Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机付运国内重要集成电路研发制造客户
- ▸设备针对GAA、3D NAND、3D DRAM等下一代三维器件工艺开发，填补国内3D制造关键刻蚀工艺空白
- ▸Primo Domingo实现大于700:1的SiGe/Si高选择比，已通过GAA和3D DRAM关键工艺实验室验证
- ▸设备采用全对称腔体结构、集成气柜、双制冷双加热晶圆基座，兼顾均匀性、温控与长期可靠性
- ▸中微刻蚀设备整体已覆盖65纳米到3纳米及更先进节点
🔥犀利点评
3D时代刻蚀难度指数级上升，700:1的SiGe/Si选择比是GAA和3D DRAM能否量产的命门，中微拿下全球首台付运，等于在国产设备最难啃的一环撕开缺口。但要注意实验室验证和产线大规模量产之间还隔着良率与稳定性两道坎，别急着庆功，先看这台设备的复购率和客户工艺整合结果。
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