美光在二十余年研究后放弃4F² DRAM，转而押注3D DRAM

📋总体概括

美光在10月21日技术网络研讨会上宣布，放弃已研发约二十年、由其发明的4F² DRAM单元设计，不将其推向市场。CTO Scott DeBoer指出，4F²虽用垂直沟道晶体管把单元面积比现行6F²缩小约三分之一，但实际密度瓶颈在电容堆叠密度而非单元占地，密度优势是「伪命题」，且成本更高、在最先进节点面临根本性扩展难题，公司转向押注3D DRAM，与三星等竞争对手路线分歧。