存储芯片🔥9.0
国产DRAM重大突破！长江存储准备量产9600 MT/s的LPDDR5X内存
📋总体概括
长江存储正开发9600 MT/s的LPDDR5X内存，计划在武汉Fab 3量产，是其NAND之外首次冲击高速移动DRAM赛道。此前自2025年10月起，其Fab 2已研发第二代16Gb LPDDR5，速率7500 MT/s，月产约5000片晶圆。新版本首次引入垂直通道晶体管（VCT）与4F²单元架构，相比传统6F²可显著提升密度、降低成本，与长鑫存储的4F² DDR5计划形成呼应，直指三星、美光等国际巨头，也直接回应了美光对4F²路线的唱衰。
⚡关键信息
- ▸长江存储开发9600 MT/s LPDDR5X，计划在武汉Fab 3工厂量产，对标三星、美光
- ▸自2025年10月起Fab 2已研发16Gb LPDDR5，速率7500 MT/s，月产约5000片晶圆
- ▸新版本首次引入垂直通道晶体管（VCT）与4F²单元架构，从成熟制程向先进DRAM架构切换
- ▸4F²相比6F²架构可在同面积内容纳更多单元，提升密度并降低成本
- ▸长鑫存储此前也宣布4F² DDR5计划，中国存储厂商集体押注新架构，美光曾公开质疑该路线可行性
🔥犀利点评
从NAND到DRAM不是简单的品类扩张，而是把3D NAND的垂直集成经验迁移到4F²+VCT上——长存显然在赌自己最擅长的堆叠功夫能绕开光刻机劣势。美光说4F²是神话，本质是怕后发者用新架构跳过它的专利护城河。9600 MT/s已逼近LPDDR5X头部水准，但量产良率、移动端客户导入才是真考题，别急着开香槟。
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