存储芯片🔥8.0
美光下一代3D NAND层数超400层，位元密度翻倍，性能极端强悍
原标题: 美光下一代3D NAND层数超400层，位元密度翻倍，性能极端强悍
📋总体概括
美光公布第11代（G11）3D NAND闪存技术，层数超过400层，位元密度达42 Gb/mm²，较上代实现倍增，接口速度提升至5,400 MT/s。该技术将为固态硬盘带来极致容量与性能，是美光在NAND堆叠层数竞赛中追赶三星、SK海力士与铠侠的关键一步。
⚡关键信息
- ▸美光G11 3D NAND层数超过400层，标志其进入400+层堆叠时代
- ▸位元密度达42 Gb/mm²，相较上一代实现约两倍的密度提升
- ▸NAND接口速度达5,400 MT/s，大幅提升SSD读写吞吐能力
- ▸G11将用于打造超大容量、极致性能的固态硬盘产品
🔥犀利点评
层数竞赛就是NAND行业的军备竞赛，400+层意味着极高的刻蚀与堆叠工艺难度。42 Gb/mm²的密度数字漂亮，但真正的胜负手在于量产爬坡速度与良率——美光上几代在量产节奏上屡屡落后于三星和海力士，这次能否兑现承诺，就看2026年能否大规模出货，否则再漂亮的参数也只是PPT。
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