晶圆制造🔥9.0
英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择 追赶台积电是规模问题
📋总体概括
英特尔制造高管克里斯·奥思表示，采用ASML High NA EUV光刻机对英特尔是正确选择，核心原因是英特尔工艺采用背面供电，正面电路间距要求较宽松，可直接单次曝光光刻，而台积电因无背面供电需使用EUV双重曝光以应对更紧密间距。英特尔CTO普什卡尔·拉纳德则称追赶台积电是规模问题而非技术问题。奥思还确认Intel 14A（1.4nm）工艺已提供PDK可选方案，正与客户逐一洽谈，High NA将从原计划的18A节点转向14A节点应用。
⚡关键信息
- ▸英特尔高管奥思称因采用背面供电，正面间距要求宽松，可直接用High NA EUV单次曝光光刻电路
- ▸台积电因无背面供电、间距要求更紧，需采用EUV双重曝光而无法直接使用High NA
- ▸High NA EUV可实现16nm至8nm的间距，单次曝光可节省成本，但精度容错空间更小
- ▸Intel 14A（1.4nm）工艺PDK已可选，正与客户逐一洽谈，High NA应用节点从此前报道的18A转向14A
- ▸英特尔CTO拉纳德认为追赶台积电是规模问题而非技术问题
🔥犀利点评
把技术劣势包装成路线差异是英特尔的一贯话术：台积电不用High NA不是不会用，而是它的客户设计和工艺密度根本不给它留退路。背面供电确实缓解正面间距压力，但High NA设备天价、产能良率风险巨大，英特尔押注14A是背水一战，18A尚未证明自己就谈规模反超，属于典型的PPT式乐观。
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