晶圆制造🔥8.0
英特尔押注3D芯片 高层直言先进晶圆难增十倍
📋总体概括
英特尔技术长Pushkar Ranade表示,受全球半导体设备规模限制,先进制程晶圆产量扩大10倍不现实,提升约2倍更可行;瓶颈在于EUV光刻、蚀刻与薄膜沉积等上游设备供应链。技术长Chris Auth透露14A制程已研发超3年,涉及约2000道制造步骤。英特尔未来20年技术路线涵盖High-NA EUV、背面供电、CFET及混合键合,并将通过阶段性审查控制单节点创新数量,避免重蹈10纳米延迟覆辙。
⚡关键信息
- ▸英特尔高层称以现有设备规模,先进制程晶圆产量扩至10倍不易,约2倍更现实
- ▸14A制程已研发超过3年,一套先进制程涉及约2000道制造步骤
- ▸High-NA EUV将数值孔径从0.33提升至0.55,单次曝光分辨能力提升约1.7倍
- ▸未来技术路线涵盖背面供电、CFET及混合键合,指向3D芯片制造模式
- ▸英特尔通过技术成熟度评估与阶段性审查,控制单节点创新数量以保障量产可预测性
🔥犀利点评
英特尔这番话与其说是技术判断,不如说是给全行业的产能泼冷水:先进制程卡脖子的从来不是设计图,而是ASML那台台EUV和上游设备交期。2倍对10倍的对比,也隐晦敲打了那些幻想先进产能遍地开花的乐观派。至于英特尔自己,吃过10纳米的亏后学会克制创新节奏,14A按部就班研发三年,方向对,但能不能兑现仍是老问题。
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